摘要碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿場強高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)異特 性，是制備高性能功率器件等半導(dǎo)體器件的理想材料。得益于工藝簡單、操作便捷、設(shè)備要求低等優(yōu)點，濕法...
下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導(dǎo) 體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速 膨脹成為了半導(dǎo)...
GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍綠發(fā)光二極管( LED) 、激光二極管( LD) 以及大功率、高溫、高速和惡劣環(huán)境條件下工作的...
超純水設(shè)備采用國際主流先進可靠產(chǎn)品，采用PLC+觸摸屏控制全套系統(tǒng)自動化程度高，大大節(jié)省人力成本和維護成本，水利用率高，經(jīng)濟合理，是水處理行業(yè)首選的產(chǎn)品。 01 ...
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