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意法半導體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！

來源：化合物半導體市場

    7月27日，意法半導體（簡稱ST）官微宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批8英寸SiC晶圓片，這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。

                                                                                                          圖片來源：ST官微

    意法半導體的首批8英寸SiC晶圓片性能良好，缺陷率較低，主要源于其收購的Norstel公司在SiC硅錠生長技術開發(fā)方面的深厚積累。除了晶圓片滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到8英寸還需要對制造設備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換，因此意法正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發(fā)自己的制造設備和生產工藝。

    目前意法半導體的SiC量產產品STPOWER SiC在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家6英寸晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國）和布斯庫拉（摩洛哥）的兩家封測廠進行的。

    SiC功率器件的整體性能指標遠超硅基，目前影響其大規(guī)模應用的核心障礙還是價格太高。短期來看，4/6英寸晶圓能夠帶來的成本優(yōu)化速度有限，迅速切入8英寸則是實現成本降低的最佳方案。

    另一方面，目前核心SiC器件玩家仍然是意法、安森美、英飛凌、CREE等大型IDM企業(yè)和博世這樣傳統(tǒng)的汽車產業(yè)鏈企業(yè)，材料、器件設計、器件制造的市場集成度中短期內非常高。因此，主流大廠對8英寸產品的迅速導入，能大力推動整個SiC產業(yè)發(fā)展。

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