引言功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動(dòng)力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)主導(dǎo)了整個(gè)電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對(duì)高效率、高功率密度的需求。而...
當(dāng)前世界上的半導(dǎo)體元件，絕大多數(shù)是以第一代半導(dǎo)體材料硅基半導(dǎo)體為主，約占95%的份額，但是隨著電動(dòng)汽車，5G通訊等新興技術(shù)的發(fā)展，以氮化鎵，碳化硅為代表新型基材越來越受到重視。第三代半導(dǎo)體，以碳化硅為代...
碳化硅生產(chǎn)流程包含材料端襯底與外延的制備，以及后續(xù)芯片的設(shè)計(jì)與制造，再到器件的封裝，最終流向下游應(yīng)用市場(chǎng)。其中襯底材料是碳化硅產(chǎn)業(yè)中最具挑戰(zhàn)性的環(huán)節(jié)。碳化硅襯底既硬且脆，切割、研磨、拋光的難度都很...
到 2030 年，半導(dǎo)體在更多市場(chǎng)的大規(guī)模擴(kuò)散以及這些市場(chǎng)中的更多應(yīng)用預(yù)計(jì)將推動(dòng)該行業(yè)的價(jià)值超過 1 萬億美元。但在接下來的 17 年里，半導(dǎo)體的影響力將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出這個(gè)數(shù)字，從而改變?nèi)藗兊墓ぷ鞣绞剑麄內(nèi)绾螠贤ǎ?..
氧化鎵是一種很有前途的材料，可用于制造用于電動(dòng)汽車和其他應(yīng)用的更高效的功率器件。引人注目的是，該領(lǐng)域領(lǐng)先的美國(guó)公司的一個(gè)主要投資者是美國(guó)國(guó)防部。正如參與其商業(yè)化的日本公司Taiyo Nippon Sanso所解釋的...
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？一、材料第一代半導(dǎo)體材料...
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