預(yù)測半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵支點和創(chuàng)新點。到 2030 年，半導(dǎo)體在更多市場的大規(guī)模擴散以及這些市場中的更多應(yīng)用預(yù)計將推動該行業(yè)的價值超過 1 萬億美元。但在接下來的 17 年里，半導(dǎo)體的影響力將遠遠超出這個數(shù)字，改變...
第三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，切合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，是支撐新一代移動通信、新能源...
在半導(dǎo)體制造中，在處理基板或在基板上形成的薄膜的過程中，有一種稱為“蝕刻”的技術(shù)。蝕刻技術(shù)的發(fā)展對實現(xiàn)英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾在1965年提出的“晶體管的集成密度將在1.5到2年內(nèi)翻一番”的預(yù)測（俗稱“摩爾定律”）...
半導(dǎo)體是電子信息產(chǎn)品的“心臟”，在國民經(jīng) 濟和社會生活各方面的應(yīng)用越來越廣泛，對國家經(jīng) 濟成長、國防安全、核心競爭力提升至關(guān)重要 ， 促進了通信、計算、醫(yī)養(yǎng)健康、軍事系統(tǒng)、物流、 新能源行業(yè)的發(fā)展，...
一、WLP晶圓級封裝VS傳統(tǒng)封裝在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部...
IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實現(xiàn)電氣互連的...
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