隨著數(shù)字化、智能化的時(shí)代到來，半導(dǎo)體行業(yè)的熱度不斷高漲。尤其是量子信息和人工智能等高科技領(lǐng)域的快速發(fā)展，推動(dòng)了半導(dǎo)體以及多功能器件技術(shù)的快速更新和迭代。為適應(yīng)高性能、低成本的要求，業(yè)界將目光投向了...
冬至節(jié)氣，時(shí)至歲末，天寒地冷，卻溫暖可期。
近日河北省省長王正譜在廊坊北三縣調(diào)研，同時(shí)蒞臨CGB，深入了解企業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r和科技創(chuàng)新成果。在華林嘉業(yè)總經(jīng)理的帶領(lǐng)下，一行人參觀了企業(yè)展廳及生產(chǎn)車間，耿總詳細(xì)介紹了我司的產(chǎn)品線、設(shè)備用途、科技創(chuàng)新成果...
近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
一、氮化嫁（GaN）定義氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新...
第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì) 暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展論壇于2023.11.23-25在廣州召開，我司出席此次會(huì)議，展位號為：B21，歡迎新老朋友蒞臨交流。 &nb...
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