【會議嘉賓預(yù)告】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山將發(fā)表SiC和GaN功率器件技術(shù)精彩演講！
【會議嘉賓預(yù)告】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山將發(fā)表SiC和GaN功率器件技術(shù)精彩演講！
來源：旺財(cái)芯片
《2021中國國際車規(guī)級功率半導(dǎo)體年會暨旺材金翎獎頒獎典禮》將于11月4-5日在上海盛大舉辦。
在本次年會上第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長/教授級高級工程師于坤山將發(fā)表《國產(chǎn)SiC和GaN功率器件車規(guī)級應(yīng)用途徑分析》的主題演講。
于坤山秘書長是中國電機(jī)工程學(xué)會會員，中國電機(jī)工程學(xué)會功率器件分委會副主任委員。電力行業(yè)電能質(zhì)量及柔性輸電標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會委員。曾擔(dān)任中國電力科學(xué)研究院電力電子公司、中電普瑞科技有限公司副總經(jīng)理兼總工程師，電力電子研究所、微電子研究所所長、電工新材料及微電子研究所所長等職務(wù)。
于坤山秘書長長期從事電力電子和電能質(zhì)量技術(shù)研究，開展面向電力系統(tǒng)和電力用戶需求的電力電子和電能質(zhì)量技術(shù)、裝置及其系統(tǒng)研發(fā)和工程應(yīng)用。在國內(nèi)外核心刊物上發(fā)表論文15篇;獲專利34項(xiàng)，其中獲發(fā)明專利授權(quán)8項(xiàng):獲得省部級科技成果獎勵二等獎一項(xiàng)，出版專著兩部，譯著一部。
發(fā)言亮點(diǎn)：
現(xiàn)代技術(shù)分為信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)，集成電路是信息電子技術(shù)的核心，功率半導(dǎo)體器件是電力電子技術(shù)的核心，如果說集成電路是實(shí)現(xiàn)信息的存儲、傳輸、處理和控制，那么功率半導(dǎo)體器件就是實(shí)現(xiàn)能源的存儲、傳輸、處理和控制。
第三代半導(dǎo)體不是對硅片的替代，是指在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底的替代，所以第三代半導(dǎo)體是整個功率半導(dǎo)體的上游，就是所謂材料的選擇這塊，而功率半導(dǎo)體增長最快的下游應(yīng)用市場是新能源汽車。
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料半導(dǎo)體（Wide BandGap）的代表，因其優(yōu)異特性備受業(yè)界矚目。通過采用全SiC功率模塊制造的逆變器可以使開關(guān)損耗降低75％（芯片溫度為150°C），逆變器尺寸下降43%，重量輕6kg，最終汽車連續(xù)續(xù)航距離增加20-30%。GaN有望大幅改進(jìn)中低壓領(lǐng)域電源管理、發(fā)電和功率輸出等應(yīng)用，GaN功率器件可用于快充領(lǐng)域。
本次演講聚焦于新能源汽車板塊，分析國產(chǎn)SiC和GaN功率器件在汽車上的應(yīng)用途徑。
欲在會議現(xiàn)場聽于坤山秘書長詳解《國產(chǎn)SiC和GaN功率器件車規(guī)級應(yīng)用途徑分析》，請掃下方二維碼報(bào)名參會。
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大會議程：
本次年會分為4大專場，分別是，新一代功率半導(dǎo)體賦能新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級專場、高功率/高可靠性對硅基功率半導(dǎo)體的技術(shù)挑戰(zhàn)專場、 碳化硅技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)降本提效（上）（下）專場、涉及IGBT、SiC功率器件、汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)等多方面；來自車規(guī)級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈超500位國內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)高層將匯聚一堂，辯趨勢、論方向、共商發(fā)展大計(jì)！
11月4日 上午
新一代功率半導(dǎo)體賦能新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級
09:00-09:15
會議開幕式及領(lǐng)導(dǎo)致辭
09:15-09:35
中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)實(shí)踐
中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 副秘書長 鄒廣才先生（已確認(rèn)）
09:35-09:55
國產(chǎn)化車規(guī)功率芯片準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)與途徑
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 秘書長 于坤山先生（已確認(rèn)）
09:55-10:15
碳中和與大趨勢：聚焦汽車革命的到來
理想汽車技術(shù)研究中心（確認(rèn)中）
10:15-10:35
國產(chǎn)車規(guī)級功率半導(dǎo)體的前景和挑戰(zhàn)
中芯集成電路制造（紹興）有限公司 執(zhí)行副總裁 劉煊杰先生（已確認(rèn)）
10:35-10:50 茶歇&觀展
10:50-11:10
車規(guī)級SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展
泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 總經(jīng)理 陳彤先生（擬邀）
11:10-11:30
新能源汽車OBC及電驅(qū)系統(tǒng)研發(fā)進(jìn)展及應(yīng)用
蘇州匯川科技有限公司電機(jī)控制器 總工 牟超先生（確認(rèn)中）
11:30-12:00
圓桌論壇：“車芯一體，驅(qū)動未來”
12:00-13:30 午餐&觀展
11月4日 下午
高功率/高可靠性對硅基功率半導(dǎo)體的技術(shù)挑戰(zhàn)
13:30-13:55
國產(chǎn)大硅片生產(chǎn)技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢（議題暫定）
杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司 技術(shù)部部長 陳子齡（已確認(rèn)）
13:55-14:20
第七代IGBT芯片及IPM智能模塊
比亞迪半導(dǎo)體有限公司 （確認(rèn)中）
14:20-14:45
車用電驅(qū)動系統(tǒng)對功率半導(dǎo)體的應(yīng)用需求（暫定）
小鵬汽車電控高級總監(jiān) 顧捷先生
14:45-15:00
具有優(yōu)異導(dǎo)熱性能的新型燒結(jié)銀
發(fā)言企業(yè)邀約中...
15:00-15:15
先進(jìn)封裝領(lǐng)域3D集成的解決方案
發(fā)言企業(yè)邀約中...
15:15-15:30 茶歇&觀展
15:30-15:55
IGBT模塊的高功率密度設(shè)計(jì)
英飛凌高功率半導(dǎo)體制造部 總監(jiān) 張向東（擬邀）
15:55-16:20
車用功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮
上海電驅(qū)動有限公司研究院院長 陳雷先生(已確認(rèn))
16:20-16:45
800V高壓電控系統(tǒng)對IGBT功率器件的挑戰(zhàn)
北汽新能源技術(shù)總監(jiān)兼工程研究院常務(wù)副院長 李玉軍先生 （確認(rèn)中）
16:45-17:00
車規(guī)級功率半導(dǎo)體檢測及可靠性分析技術(shù)
工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率與微波團(tuán)隊(duì)總師 陳義強(qiáng)(已確認(rèn))
17:00-17:15
IGBT模塊焊片焊接質(zhì)量管控技術(shù)探討
發(fā)言企業(yè)邀約中...
17:15-17:30
先進(jìn)封測技術(shù)提升功率器件可靠性
發(fā)言企業(yè)邀約中...
18:30-20:30 高層晚宴（定向邀請）/頒獎典禮
11月5日 上午
碳化硅技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)降本提效（上）
09:00-09:25
碳化硅襯底研究和產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司 副總經(jīng)理/技術(shù)總監(jiān) 劉春俊先生（擬邀）
09:25-09:50
SiC產(chǎn)業(yè)鏈中外延技術(shù)分析
東莞天域/南京百識（擬邀）
09:50-10:15
車規(guī)級碳化硅技術(shù)及產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
基本半導(dǎo)體 汽車行業(yè)總監(jiān) 文宇先生（確認(rèn)中）
10:15-10:30
碳化硅晶圓激光切割技術(shù)
發(fā)言企業(yè)邀約中...
10:30-10:40 茶歇&觀展
10:40-11:05
碳化硅單晶材料缺陷密度的控制技術(shù)
羅姆半導(dǎo)體技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁先生（擬邀）
11:05-11:30
SiC MOSFET功率循環(huán)測試技術(shù)的挑戰(zhàn)與分析
華北電力大學(xué)/華電（煙臺）功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院 總經(jīng)理 鄧二平先生（已確認(rèn)）
11:30-11:55
整車對電驅(qū)芯片半導(dǎo)體應(yīng)用需求與問題挑戰(zhàn)
天際汽車電驅(qū)系統(tǒng)部 總監(jiān) 張帆先生（已確認(rèn)）
11:55-12:10
功率器件領(lǐng)域的硅外延設(shè)備解決方案
發(fā)言企業(yè)邀約中...
12:10-13:30 午餐&觀展
11月5日 下午
碳化硅技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)降本提效（下）
13:30-13:55
高功率密度SiC模塊可靠封裝技術(shù)進(jìn)展
中車時代半導(dǎo)體有限公司（確認(rèn)中）
13:55-14:20
碳化硅功率模塊的熱管理
安森美半導(dǎo)體首席碳化硅應(yīng)用專家 吳桐先生（已確認(rèn)）
14:20-14:45
SiC功率器件與電驅(qū)系統(tǒng)的要求
吉利汽車中央研究院電驅(qū)開發(fā)部電驅(qū)控制開發(fā)模塊負(fù)責(zé)人 陳啟苗先生（確認(rèn)中）
14:45-15:00
碳化硅功率模塊封裝技術(shù)進(jìn)展
發(fā)言企業(yè)邀約中...
15:00-15:15
環(huán)氧塑封料國產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新
發(fā)言企業(yè)邀約中...
15:25-15:30 茶歇&觀展
15:30-15:55
車用電驅(qū)動系統(tǒng)對SIC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用需求
聯(lián)合汽車電子有限公司技術(shù)總監(jiān) 孫輝先生（擬邀）
15:55-16:20
功率半導(dǎo)體器件封裝失效模擬與可靠性提升方法
重慶大學(xué) 姚博士（已確認(rèn)）
16:20-16:45
碳化硅MOSFET特性及驅(qū)動設(shè)計(jì)探討
三菱電機(jī)株式會社 功率器件制作所/高級技術(shù)顧問 近藤 晴房先生（擬邀）
16:45-17:00
以智能制造解決方案加速功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造轉(zhuǎn)型
發(fā)言企業(yè)邀約中...
17:00-17:15
功率半導(dǎo)體全自動封裝智能化一站式整體解決方案
發(fā)言企業(yè)邀約中...
17:15-17:30
助力新能源，一站式燒結(jié)技術(shù)
發(fā)言企業(yè)邀約中...
注：具體議程變動和嘉賓進(jìn)展我們每周會在公眾號上更新，歡迎大家關(guān)注！
11月4日下午 同期活動
第二屆汽車級功率芯片/模塊
與主驅(qū)控制器技術(shù)閉門會
11月4號，下午2點(diǎn)-5點(diǎn)半，會議同期，我們將舉辦第二屆汽車級功率芯片/模塊與主驅(qū)控制器技術(shù)閉門會，本次閉門會議我們將邀請國內(nèi)外功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)及新能源汽車電驅(qū)企業(yè)和主機(jī)廠中高層領(lǐng)導(dǎo)共同參與。并圍繞“碳中和”和“SiC功率半導(dǎo)體”這兩個方面進(jìn)行重點(diǎn)研究討論。
本屆會議初擬討論話題：
1.碳中和與大趨勢：聚焦汽車革命的到來；
（1）汽車四化革命與汽車半導(dǎo)體發(fā)展
（2）從整車企業(yè)角度，對功率器件制造企業(yè)有怎樣的要求？
2.面向碳中和，第三代半導(dǎo)體大有用武之地；
（1）產(chǎn)能大戰(zhàn)下的SIC襯底及外延片的生產(chǎn)情況
（2）SIC車用功率模組的封裝形式及工藝
注：技術(shù)總監(jiān)級別以上參與，定向邀請（20人）
目前已確認(rèn)閉門會嘉賓：
?小鵬汽車電控高級總監(jiān) 顧捷先生（暫定）
?三安集團(tuán) 副總經(jīng)理 陳東坡
?零跑汽車 電驅(qū)產(chǎn)品線/副總裁 巫存
?天際汽車電驅(qū)系統(tǒng)部總監(jiān) 張帆先生
?安森美半導(dǎo)體首席碳化硅應(yīng)用專家 吳桐先生
?華電（煙臺）功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院總經(jīng)理 鄧二平先生
?通用汽車功率模塊封裝材料技術(shù)專家 劉名先生
?上海電驅(qū)動有限公司研究院院長 陳雷先生
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