深圳市中科半導體氮化鎵襯底等研發(fā)生產(chǎn)項目簽約落地贛州
發(fā)布時間：2021-08-25發(fā)布人：
深圳市中科半導體氮化鎵襯底等研發(fā)生產(chǎn)項目簽約落地贛州
來源：SEMI大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
近日，贛州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行2021年第9批招商引資項目線上集中簽約儀式，此次集中簽約的有6個項目。其中，深圳市中科半導體科技有限公司氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料的研發(fā)生產(chǎn)項目，主要生產(chǎn)2-4寸氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料。項目總投資2億元，達產(chǎn)達標后可實現(xiàn)年營業(yè)收入3.6億元，年納稅4000萬元。
據(jù)悉，在半導體材料、芯片制造和顯示屏模組等優(yōu)勢領域，贛州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)規(guī)劃建設面積32.5平方公里的電子信息產(chǎn)業(yè)園，電子信息產(chǎn)業(yè)已匯聚企業(yè)170余家，其中規(guī)上企業(yè)65家；同時，集中優(yōu)勢資源對28家重點企業(yè)進行培育，確保2021年全區(qū)營收超1000億元。
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