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       據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》報(bào)道，半導(dǎo)體大廠三星正加緊準(zhǔn)備2022年開始對(duì)其位于平澤的新半導(dǎo)體工廠進(jìn)行大規(guī)模投資。

       報(bào)道指出，三星計(jì)劃先在建設(shè)中的平澤3號(hào)工廠(P3) 建立NAND Flash生產(chǎn)線，然后再建立DRAM生產(chǎn)線和3納米制程代工產(chǎn)線。目前，三星正與國(guó)內(nèi)外材料、零組件、設(shè)備合作伙伴洽談。

       P3工廠擴(kuò)建后，三星將增設(shè)一條第七代176層NAND Flash生產(chǎn)線，每月生產(chǎn)40K~50K的12英寸晶圓，預(yù)計(jì)2022年4月左右開始引進(jìn)設(shè)備。

        市場(chǎng)分析師表示，先安裝NAND Flash生產(chǎn)線的原因，是為了擴(kuò)大與追隨者的技術(shù)差距，因?yàn)镹AND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，據(jù)市場(chǎng)人士說(shuō)法，西部數(shù)據(jù)可能收購(gòu)日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠，美光科技也量產(chǎn)176層堆疊NAND Flash，在此情況下，NAND Flash市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正逐漸升溫。

       此外，三星還制定了2022年下半年建設(shè)DRAM和3納米代工產(chǎn)線計(jì)劃。市場(chǎng)人士預(yù)計(jì)，為響應(yīng)DDR5 DRAM時(shí)代的到來(lái)，三星將打造14納米制程EUV DRAM生產(chǎn)線。業(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步補(bǔ)充，三星計(jì)劃建立3納米制程代工產(chǎn)線，未來(lái)每月可量產(chǎn)10K~20K的12英寸晶圓。

      三星電子預(yù)計(jì)，2022年將在華城和P3工廠所在的平澤工廠導(dǎo)入先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)。據(jù)三星計(jì)劃，投資DRAM和晶圓代工產(chǎn)線后，其在韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)能將增加至每月150K晶圓。