芯研所消息，隨著第三代半導(dǎo)體的日漸成熟，關(guān)于技術(shù)專利的分布情況，到底又是什么態(tài)勢(shì)呢？
近日能夠有助延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的第三代關(guān)鍵半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）專利技術(shù)排名，正式公布。
據(jù)悉該項(xiàng)技術(shù)依舊由美日廠商所主導(dǎo)，并占據(jù)了專利數(shù)量占據(jù)前五名，最多的是美企Wolfspeed（前身為科銳CREE），之后全由日企拿下，日本芯片制造商Rohm 第二名，之后依序是住友電工、三菱電機(jī)和Denso。
SiC 比芯片產(chǎn)業(yè)主流材料硅更硬，性能更穩(wěn)定， 整體來看，碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。SiC還有助節(jié)能，加上特斯拉率先將SiC 芯片用在量產(chǎn)車，有助推動(dòng)SiC 材料需求，且在電動(dòng)車或太陽能產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域更普及。
