3D芯片的三種方法
最近亮相的一批高性能處理器表明,延續(xù)摩爾定律的新方向即將到來。根據(jù)約定速成的規(guī)定,每一代處理器都需要比上一代擁有更好的性能。這意味著將更多的邏輯集成到硅片上。但是這會面臨兩個問題:一個是我們縮小晶體管及其構(gòu)成的邏輯和內(nèi)存塊的能力正在放緩。另一個是芯片已經(jīng)達(dá)到了它們的尺寸極限。光刻工具只能圖案化大約 850 平方毫米的區(qū)域,這大約是頂級 Nvidia GPU 的大小。
幾年來,片上系統(tǒng)的開發(fā)人員已經(jīng)開始將他們越來越大的設(shè)計分解成更小的小芯片,并將它們在同一個封裝內(nèi)鏈接在一起,以有效增加硅面積及其他優(yōu)勢。在 CPU 中,這些鏈接大多是所謂的 2.5D,其中小芯片彼此并排設(shè)置,并使用短而密集的互連連接。由于大多數(shù)主要制造商已就 2.5D 小芯片到小芯片通信標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成一致,這種集成的勢頭可能只會增長。
但是,要像在同一個芯片上一樣將真正大量的數(shù)據(jù)傳輸出去,您需要更短、更密集的連接,而這只能通過將一個芯片堆疊在另一個芯片上來實現(xiàn)。面對面連接兩個芯片可能意味著每平方毫米有數(shù)千個連接。
它需要大量的創(chuàng)新才能使其發(fā)揮作用。工程師必須弄清楚如何防止堆棧中一個芯片的熱量殺死另一個芯片,決定哪些功能應(yīng)該去哪里以及應(yīng)該如何制造,防止偶爾出現(xiàn)的壞小芯片導(dǎo)致大量昂貴的啞系統(tǒng),并處理隨之而來的是一次解決所有這些問題的復(fù)雜性。
以下是三個示例,從相當(dāng)簡單到令人困惑的復(fù)雜,展示了 3D 堆疊現(xiàn)在的位置:
AMD 的 Zen 3
AMD 的 3D V-Cache 技術(shù)將一個 64 兆字節(jié)的 SRAM 緩存 [紅色] 和兩個空白結(jié)構(gòu)小芯片連接到 Zen 3 計算小芯片上。
長期以來,PC 都提供了添加更多內(nèi)存的選項,從而為超大型應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)繁重的工作提供更快的速度。由于 3D 芯片堆疊,AMD 的下一代 CPU 小芯片也提供了該選項。當(dāng)然,這不是售后市場的附加組件,但如果您正在尋找具有更多魅力的計算機,那么訂購具有超大緩存內(nèi)存的處理器可能是您的選擇。
盡管Zen 2和新的Zen 3處理器內(nèi)核都使用相同的臺積電制造工藝制造——因此具有相同尺寸的晶體管、互連和其他一切——AMD 進行了如此多的架構(gòu)改動,這讓他們即使沒有額外的高速緩存的前提下,Zen 3也能平均提供 19% 的性能提升。其中一個架構(gòu)瑰寶是包含一組硅通孔 (TSV),垂直互連直接穿過大部分硅。TSV 構(gòu)建在 Zen 3 的最高級別緩存中,即稱為 L3 的 SRAM 塊,它位于計算小芯片的中間,并在其所有八個內(nèi)核之間共享。
在用于數(shù)據(jù)繁重工作負(fù)載的處理器中,Zen 3 晶圓的背面被減薄,直到 TSV 暴露出來。然后使用所謂的混合鍵合將一個 64 兆字節(jié)的 SRAM 小芯片鍵合到那些暴露的 TSV 上——這一過程類似于將銅冷焊在一起。結(jié)果是一組密集的連接可以緊密到 9 微米。最后,為了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和熱傳導(dǎo),附加空白硅芯片以覆蓋 Zen 3 CPU 芯片的其余部分。
通過將額外的內(nèi)存設(shè)置在 CPU 芯片旁邊來添加額外的內(nèi)存不是一種選擇,因為數(shù)據(jù)需要很長時間才能到達(dá)處理器內(nèi)核?!氨M管 L3 [緩存] 大小增加了三倍,但 3D V-Cache 僅增加了四個 [時鐘] 周期的延遲——這只能通過 3D 堆疊來實現(xiàn),” AMD 高級設(shè)計工程師 John Wuu表示。
更大的緩存在高端游戲中占有一席之地。使用臺式機銳龍 CPU 和 3D V-Cache 可將 1080p 的游戲速度平均提高 15%。它也適用于更嚴(yán)肅的工作,將困難的半導(dǎo)體設(shè)計計算的運行時間縮短了 66%。
Wuu 指出,與縮小邏輯的能力相比,業(yè)界縮小 SRAM 的能力正在放緩。因此,您可以預(yù)期未來的 SRAM 擴展包將繼續(xù)使用更成熟的制造工藝制造,而計算芯片則被推向摩爾定律的前沿。
Graphcore 的 Bow AI 處理器
Graphcore Bow AI 加速器使用 3D 芯片堆疊將性能提升 40%。
即使堆棧中的一個芯片上沒有單個晶體管,3D 集成也可以加快計算速度??偛课挥谟?AI 計算機公司Graphcore僅通過在其 AI 處理器上安裝供電芯片,就大幅提高了其系統(tǒng)性能。添加供電硅意味著名為 Bow 的組合芯片可以運行得更快(1.85 GHz 與 1.35 GHz 相比),并且電壓低于其前身。與上一代相比,這意味著計算機訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的速度提高了 40%,能耗降低了 16%。重要的是,用戶無需更改其軟件即可獲得這種改進。
電源管理芯片由電容器和硅通孔組合而成。后者只是為處理器芯片提供電力和數(shù)據(jù)。真正與眾不同的是電容器。與 DRAM 中的位存儲組件一樣,這些電容器形成在硅中又深又窄的溝槽中。由于這些電荷儲存器非??拷幚砥鞯木w管,因此功率傳輸變得平滑,從而使處理器內(nèi)核能夠在較低電壓下更快地運行。如果沒有供電芯片,處理器必須將其工作電壓提高到高于其標(biāo)稱水平才能在 1.85 GHz 下工作,從而消耗更多的功率。使用電源芯片,它也可以達(dá)到該時鐘頻率并消耗更少的功率。
用于制造BoW的制造工藝是獨一無二的,但不太可能保持這種狀態(tài)。大多數(shù) 3D 堆疊是通過將一個小芯片粘合到另一個小芯片上來完成的,而其中一個仍然在晶圓上,稱為晶圓上芯片 [參見上面的“AMD 的 Zen 3”]。相反,Bow 使用了臺積電的晶圓對晶圓,其中一種類型的整個晶圓與另一種類型的整個晶圓鍵合,然后切割成芯片。Graphcore 首席技術(shù)官Simon Knowles表示,這是市場上第一款使用該技術(shù)的芯片,它使兩個裸片之間的連接密度高于使用晶圓上芯片工藝所能達(dá)到的密度。
盡管供電小芯片沒有晶體管,但它們可能會出現(xiàn)。Knowles 說,僅將這項技術(shù)用于供電“對我們來說只是第一步”?!霸诓痪玫膶?,它會走得更遠(yuǎn)?!?/p>
英特爾的 Ponte Vecchio 超級計算機芯片
英特爾的 Ponte Vecchio 處理器將 47 個小芯片集成到一個處理器中。
Aurora 超級計算機旨在成為 美國 首批突破 exaflop障礙的高性能計算機 (HPC)之一——每秒進行 10 億次高精度浮點計算。為了讓 Aurora 達(dá)到這些高度,英特爾的 Ponte Vecchio 將 47 塊硅片上的超過 1000 億個晶體管封裝到一個處理器中。英特爾同時使用 2.5D 和 3D 技術(shù),將 3,100 平方毫米的硅片(幾乎等于四個Nvidia A100 GPU )壓縮成 2,330 平方毫米的占地面積。
英特爾研究員 Wilfred Gomes告訴參加IEEE 國際固態(tài)電路會議的工程師,該處理器將英特爾的 2D 和 3D 小芯片集成技術(shù)推向了極限。
每個 Ponte Vecchio 都是使用英特爾 2.5D 集成技術(shù) Co-EMIB 捆綁在一起的兩個 鏡像小芯片集。Co-EMIB 在兩個 3D 小芯片堆棧之間形成高密度互連的橋梁。橋本身是嵌入封裝有機基板中的一小塊硅。硅上的互連線的密度可以是有機襯底上的兩倍。
Co-EMIB 管芯還將高帶寬內(nèi)存和 I/O 小芯片連接到“基礎(chǔ)塊”,這是堆疊其余部分的最大小芯片。
基礎(chǔ)tile使用英特爾的 3D 堆疊技術(shù),稱為 Foveros,在其上堆疊計算和緩存小芯片。該技術(shù)在兩個芯片之間建立了密集的芯片到芯片垂直連接陣列。這些連接可以是 36 微米,除了短銅柱和焊料微凸塊。信號和電源通過硅通孔進入這個堆棧 ,相當(dāng)寬的垂直互連直接穿過大部分硅。
八個計算tile、四個緩存tile和八個用于從處理器散熱的空白“熱”tile都連接到基礎(chǔ)tile?;A(chǔ)本身提供緩存內(nèi)存和允許任何計算塊訪問任何內(nèi)存的網(wǎng)絡(luò)。
不用說,這一切都不容易。Gomes 說,它在良率管理、時鐘電路、熱調(diào)節(jié)和功率傳輸方面進行了創(chuàng)新。例如,英特爾工程師選擇為處理器提供高于正常電壓(1.8 伏)的電壓,以便電流足夠低以簡化封裝?;A(chǔ)塊中的電路將電壓降低到接近 0.7 V 以用于計算塊,并且每個計算塊必須在基礎(chǔ)塊中有自己的電源域。這種能力的關(guān)鍵是新型高效電感器,稱為同軸磁性集成電感器。因為這些都內(nèi)置在封裝基板中,所以在向計算塊提供電壓之前,電路實際上在基礎(chǔ)塊和封裝之間來回蜿蜒。
Gomes 說,從 2008 年的第一臺 petaflop 超級計算機到今年的 exaflops機器, 用了整整 14 年。Gomes 告訴工程師,但高級封裝(如 3D 堆疊)是可以幫助將下一個千倍計算改進縮短到僅六年的技術(shù)之一。
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