一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材...
隨著數(shù)字化、智能化的時(shí)代到來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)的熱度不斷高漲。尤其是量子信息和人工智能等高科技領(lǐng)域的快速發(fā)展，推動(dòng)了半導(dǎo)體以及多功能器件技術(shù)的快速更新和迭代。為適應(yīng)高性能、低成本的要求，業(yè)界將目光投向了...
近來(lái)，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
一、氮化嫁（GaN）定義氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新...
對(duì)比兩種集成電路制造濕法工藝設(shè)備的優(yōu)缺點(diǎn)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)影響單片濕法清洗工藝中蝕刻率因素進(jìn)行分析總結(jié)，介紹化學(xué)藥液混合和制程噴吐中流量控制技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)將兩種化學(xué)藥液流量控制閥件的蝕刻清洗...
一、引言上世紀(jì)50年代以后，隨著離子注入、擴(kuò)散、外延生長(zhǎng)和光刻四種基本工藝的發(fā)明，半導(dǎo)體工藝逐漸發(fā)展起來(lái)。芯片被顆粒和金屬污染，容易導(dǎo)致短路或開(kāi)路等失效，因此除了在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中避免外部污染外，在制...
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