摘要 : Si 襯底因兼具大尺寸、低成本以及與現(xiàn)有 CMOS 工藝兼容等優(yōu)勢，使 Si 襯底上 GaN 基射頻( RF) 電子材料和器 件成為繼功率電子器件之后下一個該領(lǐng)域關(guān)注的焦點。 ...
半導(dǎo)體清洗工藝介紹 清洗工藝是指通過化學(xué)處理、氣體和物理方法 去除晶圓表面雜質(zhì)的工藝。在半導(dǎo)體制造過程中， 晶圓表面的顆粒、金屬、有機物、自然氧化層等雜質(zhì) 都可能對半導(dǎo)體的器件性能、可靠性甚至良率...
近年來，在政策和資本的強力支持下我國半導(dǎo)體用8 in和12 in硅片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，培育了一批骨干企業(yè)，突破了核心技術(shù)，自主保障能力顯著提升，形成良好發(fā)展態(tài)勢。經(jīng)過多年的積累，當(dāng)前，半導(dǎo)體硅片處于關(guān)鍵發(fā)展機遇...
一、什么是第三代半導(dǎo)體所謂第三代半導(dǎo)體材料是以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表(還包括ZnO氧化鋅、GaO氧化鎵、金剛石等)的化合物半導(dǎo)體。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度...
引言功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢主導(dǎo)了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而...
當(dāng)前世界上的半導(dǎo)體元件，絕大多數(shù)是以第一代半導(dǎo)體材料硅基半導(dǎo)體為主，約占95%的份額，但是隨著電動汽車，5G通訊等新興技術(shù)的發(fā)展，以氮化鎵，碳化硅為代表新型基材越來越受到重視。第三代半導(dǎo)體，以碳化硅為代...
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